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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 110K |  |
| 描述 | ||
| MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1-R, | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 |
| 长度： | 12.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | MASK ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M23801VP | MITSUBISHI |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP1-40 |
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| M5M23801-XXXFP | MITSUBISHI |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| M5M23801-XXXRV | MITSUBISHI |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO40, TSOP1-40 |
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| M5M256DP-45LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 |
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| M5M256DP-45XL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 |
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| M5M256DP-55LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 |
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| M5M256DP-55XL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 |
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| M5M256DP-70LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 |
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| M5M256DP-70XL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 |
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| M5M27400AFP-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-40 |
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