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三菱 - MITSUBISHI | 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
3页 | 204K | |
描述 | ||
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO40, TSOP1-40 |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSOP1-R, TSSOP40,.56,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | MASK ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装等效代码: | TSSOP40,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | MASK ROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M5M256DP-45LL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
M5M256DP-45XL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
M5M256DP-55LL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
M5M256DP-55XL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
M5M256DP-70LL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
M5M256DP-70XL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
M5M27400AFP-12 | MITSUBISHI |
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OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-40 | |
M5M27400AFP-15 | MITSUBISHI |
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OTP ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-40 | |
M5M27400AP-12 | MITSUBISHI |
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OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 | |
M5M27400ARV-15 | MITSUBISHI |
获取价格 |
OTP ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 |