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M58WR128EB80ZB6T

更新时间： 2024-09-24 22:30:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
87页 1050K
描述
128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

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M58WR128EB80ZB6T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：12.50 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-60
针数：60Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最长访问时间：80 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B60JESD-609代码：e0
长度：12.5 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8, 255
端子数量：60字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA60,9X10,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
电源：1.8/2,1.8/3 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M58WR128EB80ZB6T 数据手册

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M58WR128ET  
M58WR128EB  
128 Mbit (8Mb x 16, Multiple Bank, Burst)  
1.8V Supply Flash Memory  
PRODUCT PREVIEW  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
– V = 1.65V to 2.2V for Program, Erase and  
DD  
Read  
– V  
= 1.65V to 3.3V for I/O Buffers  
DDQ  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst Read mode: 54MHz  
FBGA  
– Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
– Random Access: 70, 80, 100ns  
■ SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
■ PROGRAMMING TIME  
VFBGA60 (ZB)  
12.5 x 12mm  
– 8µs by Word typical for Fast Factory Program  
– Double/Quadruple Word Program option  
– Enhanced Factory Program options  
■ MEMORY BLOCKS  
– Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit Banks  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ DUAL OPERATIONS  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M58WR128ET: 881Eh  
– Bottom Device Code, M58WR128EB: 881Fh  
– Program Erase in one Bank while Read in  
others  
– No delay between Read and Write operations  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
– One parameter block permanently lockable  
■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
May 2003  
1/87  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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