Datasheet > M58BW032BB45T3

M58BW032BB45T3

更新时间： 2024-11-23 21:00:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
60页	826K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,QFP,80PIN,PLASTIC

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M58BW032BB45T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP80,.7X.9,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	45 ns	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PQFP-G80
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	32	部门数/规模：	4,8,62
端子数量：	80	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP80,.7X.9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	页面大小：	4 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	部门规模：	4K,2K,16K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

M58BW032BB45T3 数据手册

M58BW032BT, M58BW032BB

M58BW032DT, M58BW032DB

32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst)

3.3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_DD= 3.0V to 3.6V for Program, Erase

and Read

V_DDQ= V_DDQIN= 1.6V to 3.6V for I/O

Buffers

■

HIGH PERFORMANCE

–

Access Time: 45, 55 and 60ns

75MHz Effective Zero Wait-State Burst

Read

PQFP80 (T)

–

Synchronous Burst Reads

Asynchronous Page Reads

■

MEMORY ORGANIZATION

– Eight 64 Kbit small parameter Blocks

BGA

– Four 128Kbit large parameter Blocks (of

which one is OTP)

– Sixty-two 512Kbit main Blocks

LBGA80 (ZA)

10 x 8 ball array

■

HARDWARE BLOCK PROTECTION

–

WP pin Lock Program and Erase

V_PENsignal for Program/Erase Enable

SOFTWARE BLOCK PROTECTION

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Tuning Protection to Lock Program and

Erase with 64-bit User Programmable

Password (M58BW032B version only)

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code M58BW032xT: 8838h

Bottom Device Code M58BW032xB:

8837h

■

SECURITY

–

64-bit Unique Device Identifier (UID)

OPERATING TEMPERATURE RANGE

FAST PROGRAMMING

–

Automotive (Grade 3): –40 to 125°C

Industrial (Grade 6): –40 to 90°C

–

Write to Buffer and Program capability

OPTIMIZED FOR FDI DRIVERS

–

Common Flash Interface (CFI)

Fast Program/Erase Suspend feature in

each block

■

LOW POWER CONSUMPTION

100µA Typical Standby

–

November 2004

1/60

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...60

中文翻译

下载PDF

与M58BW032BB45T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M58BW032BB45T3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory
M58BW032BB45T3T	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX32, 45ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
M58BW032BB45T6	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,QFP,80PIN,PLASTIC
M58BW032BB45T6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory
M58BW032BB45T6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX32, 45ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
M58BW032BB45ZA3	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX32,CMOS,BGA,80PIN,PLASTIC
M58BW032BB45ZA3T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory
M58BW032BB45ZA3T	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX32, 45ns, PBGA80, 10 X 8 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80
M58BW032BB45ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory
M58BW032BB45ZA6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 1MX32, 45ns, PBGA80, 10 X 8 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80

与M58BW032BB45T3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M58BW032BB45T3

M58BW032BB45T3 技术参数

M58BW032BB45T3 数据手册

与M58BW032BB45T3相关器件

与M58BW032BB45T3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M58BW032BB45T3

M58BW032BB45T3 技术参数

M58BW032BB45T3 数据手册

与M58BW032BB45T3相关器件

与M58BW032BB45T3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？