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M58BW032BB55T6T

更新时间： 2024-11-19 20:26:07

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恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	161K
描述
Flash, 1MX32, 55ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80

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M58BW032BB55T6T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	PLASTIC, QFP-80	针数：	80
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G80
长度：	20 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	80
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

M58BW032BB55T6T 数据手册

M58BW032BT, M58BW032BB

M58BW032DT, M58BW032DB

32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst)

3.3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_DD= 3.0V to 3.6V for Program, Erase

and Read

V_DDQ= V_DDQIN= 1.6V to 3.6V for I/O

Buffers

■

HIGH PERFORMANCE

–

Access Time: 45, 55 and 60ns

75MHz Effective Zero Wait-State Burst

Read

PQFP80 (T)

–

Synchronous Burst Reads

Asynchronous Page Reads

■

MEMORY ORGANIZATION

– Eight 64 Kbit small parameter Blocks

BGA

– Four 128Kbit large parameter Blocks (of

which one is OTP)

– Sixty-two 512Kbit main Blocks

LBGA80 (ZA)

10 x 8 ball array

■

HARDWARE BLOCK PROTECTION

–

WP pin Lock Program and Erase

V_PENsignal for Program/Erase Enable

SOFTWARE BLOCK PROTECTION

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Tuning Protection to Lock Program and

Erase with 64-bit User Programmable

Password (M58BW032B version only)

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code M58BW032xT: 8838h

Bottom Device Code M58BW032xB:

8837h

■

SECURITY

–

64-bit Unique Device Identifier (UID)

OPERATING TEMPERATURE RANGE

FAST PROGRAMMING

–

Automotive (Grade 3): –40 to 125°C

Industrial (Grade 6): –40 to 90°C

–

Write to Buffer and Program capability

OPTIMIZED FOR FDI DRIVERS

–

Common Flash Interface (CFI)

Fast Program/Erase Suspend feature in

each block

■

LOW POWER CONSUMPTION

100µA Typical Standby

–

November 2004

1/9

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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