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M53640412CW0-C60

更新时间： 2024-09-17 19:24:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 284K
描述
EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SOLDER, SIMM-72

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M53640412CW0-C60 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：SIMM, SSIM72针数：72
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XSMA-N72
内存密度：150994944 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：36功能数量：1
端口数量：1端子数量：72
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：SIMM封装等效代码：SSIM72
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048最大待机电流：0.009 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.9 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

M53640412CW0-C60 数据手册

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DRAM MODULE  
M53640412CW0/CB0  
M53640412CW0/CB0 Fast Page Mode with EDO Mode  
4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 EDO and 4Mx4 Quad CAS, 2K, Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung M53640412C is a 4Mx36bits Dynamic RAM  
high density memory module. The Samsung M53640412C  
consists of eight CMOS 4Mx4bits DRAMs in 24-pin SOJ pack-  
age and one CMOS 4Mx4 bit Quad CAS with EDO DRAM in  
28-pin SOJ package mounted on a 72-pin glass-epoxy sub-  
strate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the  
printed circuit board for each DRAM. The M53640412C is a  
Single In-line Memory Module with edge connections and is  
intended for mounting into 72 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- M53640412CW0(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Solder)  
- M53640412CB0(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Gold)  
• Fast Page Mode with Extended Data Out  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single +5V±10% power supply  
• JEDEC standard PDPin & pinout  
• PCB : Height(1000mil), single sided component  
PERFORMANCE RANGE  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
25ns  
30ns  
-C50  
90ns  
110ns  
-C60  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
A0 - A10  
Function  
Address Inputs(2K Ref)  
Data In/Out  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ18  
DQ1  
DQ19  
DQ2  
DQ20  
DQ3  
DQ21  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
DQ17  
DQ35  
Vss  
DQ0 - DQ35  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
Res(RAS1)  
NC  
W
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0  
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
W
NC  
DQ9  
Vss  
Ground  
DQ27  
DQ10  
DQ28  
DQ11  
DQ29  
DQ12  
DQ30  
DQ13  
DQ31  
Vcc  
DQ32  
DQ14  
DQ33  
DQ15  
DQ34  
DQ16  
NC  
A3  
A4  
A5  
A6  
NC  
No Connection  
A10  
DQ4  
DQ22  
DQ5  
DQ23  
DQ6  
DQ24  
DQ7  
DQ25  
A7  
A11  
Vcc  
A8  
A9  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
Vss  
NC  
Vss  
NC  
NC  
NC  
Vss  
Vss  
* Pin connection changing available  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
Res(RAS1)  
RAS0  
DQ26  
DQ8  
1234567...15

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与M53640412CW0-C60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M53640800DB0-C50 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53640800DW0-C50 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53640800DW0-C60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53640810CB0-C60 SAMSUNG

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