生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | , | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
内存密度: | 301989888 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX36 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M53640810CB0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53640810CW0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53640810CW0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53640810DB0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53640810DB0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53640810DW0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72 | |
M53640810DW0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
M537 | TE |
获取价格 |
GaAs MMIC Based Control Components with Integral Drivers | |
M538 | TE |
获取价格 |
Surface Mounting Instructions | |
M538002 | OKI |
获取价格 |
524,288-Word x 16-Bit or 1,048,576 x 8-Bit Mask ROM |