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M53640800DW0-C50

更新时间： 2024-09-17 18:12:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 298K
描述
EDO DRAM Module, 8MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72

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M53640800DW0-C50 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：,针数：72
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-XSMA-N72
内存密度：301989888 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：36功能数量：1
端口数量：1端子数量：72
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX36
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

M53640800DW0-C50 数据手册

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Preliminary  
M53640800DW0/DB0  
M53640810DW0/DB0  
DRAM MODULE  
M53640800DW0/DB0 & M53640810DW0/DB0 EDO Mode  
8M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung M5364080(1)0D is a 8Mx36bits Dynamic RAM  
high density memory module. The Samsung M5364080(1)0D  
consists of sixteen CMOS 4Mx4bits DRAMs in 24-pin SOJ  
package and two CMOS 4Mx4 bit Quad CAS with EDO DRAM  
in 28-pin SOJ package mounted on a 72-pin glass-epoxy sub-  
strate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the  
printed circuit board for each DRAM. The M5364080(1)0D is a  
Single In-line Memory Module with edge connections and is  
intended for mounting into 72 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- M53640800DW0-C(4096 cycles/64ms Ref, SOJ, Solder)  
- M53640800DB0-C(4096 cycles/64ms Ref, SOJ, Gold)  
- M53640810DW0-C(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Solder)  
- M53640810DB0-C(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Gold)  
• Fast Page Mode with Extended Data Out  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single +5V±10% power supply  
PERFORMANCE RANGE  
• JEDEC standard PDPin & pinout  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
25ns  
30ns  
• PCB : Height(1000mil), double sided component  
-50  
90ns  
110ns  
-60  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
A0 - A11  
A0 - A10  
DQ0 - DQ35  
W
Function  
Address Inputs(4K Ref)  
Address Inputs(2K Ref)  
Data In/Out  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ18  
DQ1  
DQ19  
DQ2  
DQ20  
DQ3  
DQ21  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A10  
DQ4  
DQ22  
DQ5  
DQ23  
DQ6  
DQ24  
DQ7  
DQ25  
A7  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
DQ17  
DQ35  
Vss  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
RAS1  
NC  
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0, RAS1  
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
W
NC  
DQ9  
DQ27  
DQ10  
DQ28  
DQ11  
DQ29  
DQ12  
DQ30  
DQ13  
DQ31  
Vcc  
DQ32  
DQ14  
DQ33  
DQ15  
DQ34  
DQ16  
NC  
Vss  
Ground  
NC  
No Connection  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
Vss  
Vss  
NC  
Vss  
NC  
NC  
A11  
Vcc  
A8  
* Pin connection changing available  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
A9  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
RAS1  
RAS0  
DQ26  
DQ8  
* NOTE : A11 is used for only M53640800DW0/DB0 (4K ref.)  
1234567...15

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与M53640800DW0-C50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M53640800DW0-C60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53640810CB0-C60 SAMSUNG

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M53640810CW0-C50 SAMSUNG

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