5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 | 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM200,24 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.4 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M470L1624FU0-CC4 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L1624FU0-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470L1624FU0-LA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470L1624FU0-LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470L1624FU0-LC4 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L1624FU0-LCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470L1713BT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L1713BT0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L1713BT0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L1713BT0-LA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
