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M470L1714BT0-LA2

更新时间: 2024-11-11 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 129K
描述
DDR DRAM, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200

M470L1714BT0-LA2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SODIMM包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XZMA-N200内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:64
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:200
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):225电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES最大待机电流:0.34 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.82 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

M470L1714BT0-LA2 数据手册

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200pin DDR SDRAM SODIMM  
M470L1714BT0  
128MB DDR SDRAM MODULE  
(16Mx64 based on 8Mx16 DDR SDRAM)  
200pin SODIMM  
64-bit Non-ECC/Parity  
Revision 0.1  
June. 2001  
Rev. 0.1 June. 2001  

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