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M470L2923BN0-CCC

更新时间： 2024-11-10 22:13:55

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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20页	283K
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DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die

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M470L2923BN0-CCC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XZMA-N200
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.08 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	4.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M470L2923BN0-CCC 数据手册

256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM Unbuffered Module

184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die

66 TSOP-II & 54 sTSOP-II

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Rev. 1.5 June 2005

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