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M470L1624FU0-LA0

更新时间： 2024-11-11 20:54:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	308K
描述
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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M470L1624FU0-LA0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM,	针数：	200
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M470L1624FU0-LA0 数据手册

128MB, 256MB Unbuffered SODIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM Unbuffered Module

184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die

66 TSOP-II

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Rev. 1.3 July 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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