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M381L6423ETM-CC4

更新时间: 2024-09-16 22:56:03
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 289K
描述
DDR SDRAM Unbuffered Module

M381L6423ETM-CC4 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:4831838208 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.6 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大压摆率:3.29 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

M381L6423ETM-CC4 数据手册

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256MB, 512MB Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM Unbuffered Module  
(DDR400 Module)  
184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die  
64/72-bit ECC/Non ECC  
Revision 1.3  
August. 2003  
Rev. 1.3 August. 2003  

与M381L6423ETM-CC4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M381L6423ETM-CC5 SAMSUNG

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184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC
M381L6423ETM-CCC SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
M381L6423ETM-CLB3 SAMSUNG

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DDR SDRAM Unbuffered Module
M381L6423ETM-LB0 SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184
M381L6423ETM-LC5 SAMSUNG

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184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC
M381L6423ETM-LCC SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
M381L6423EUM-CB3 SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184