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M381L6423FUM-CB0

更新时间: 2024-11-25 19:43:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 487K
描述
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

M381L6423FUM-CB0 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM,
针数:184Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:4831838208 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72湿度敏感等级:2
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX72封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

M381L6423FUM-CB0 数据手册

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256MB, 512MB Unbuffered DIMM Pb-Free  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM Unbuffered Module  
184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die  
with 64/72-bit Non-ECC / ECC  
66 TSOP(II) with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.2  
Oct. 2004  
Revision 1.2 Oct. 2004  

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