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M381L6523BTM-LCC

更新时间： 2024-11-06 22:56:03

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
25页	462K
描述
DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II

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M381L6523BTM-LCC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.65 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.045 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	3.87 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M381L6523BTM-LCC 数据手册

256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM Unbuffered Module

184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die

with 64/72-bit Non ECC/ECC

66 TSOP-II

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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Rev. 1.1 June 2005

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