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M381L6523BUM-CB3

更新时间： 2024-11-08 22:56:03

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II

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M381L6523BUM-CB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM184	针数：	184
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.045 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	3.6 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

M381L6523BUM-CB3 数据手册

256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

DDR SDRAM Unbuffered Module

184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die

with 64/72-bit Non ECC/ECC

66 TSOP-II

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 June 2005

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