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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM184 |
| 针数： | 184 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 9663676416 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 184 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM184 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.108 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 3.825 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M381L5623MTM-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
|
| M381L5623MTM-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
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| M381L5623MTM-LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L5623MTN | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
|
| M381L6423AT0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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| M381L6423BT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
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| M381L6423BT0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
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| M381L6423CT1-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L6423CT1-CLA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L6423CT1-CLB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 |
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