5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM184 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.43 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 长度： | 133.35 mm | 内存密度： | 4831838208 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE DRAM MODULE | 内存宽度： | 72 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 184 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM184 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 31.9 mm | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 3.67 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M381L6423CT1-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L6423CT1-LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L6423CTL-LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L6423CTL-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
|
| M381L6423DTM-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423DTM-CCC/C4 | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423DTM-LCC | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423DTM-LCC/C4 | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423ETM-A2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
|
| M381L6423ETM-AA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
