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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM184 |
| 针数： | 184 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.65 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 4831838208 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 184 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM184 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 2.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 3.83 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M381L6423DTM-CCC/C4 | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423DTM-LCC | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423DTM-LCC/C4 | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
|
| M381L6423ETM-A2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
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| M381L6423ETM-AA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
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| M381L6423ETM-B0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
|
| M381L6423ETM-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
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| M381L6423ETM-CC4 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM Unbuffered Module |
|
| M381L6423ETM-CC5 | SAMSUNG |
获取价格 |
184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC |
|
| M381L6423ETM-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 |
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