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M381L3313BT0-LA0

更新时间: 2024-11-07 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 178K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184

M381L3313BT0-LA0 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N184内存密度:2415919104 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX72封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M381L3313BT0-LA0 数据手册

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184pin Unbuffered DDR SDRAM MODULE  
M381L3313BT0  
256MB DDR SDRAM MODULE  
(32Mx72(16Mx72*2 bank) based on 16Mx8 DDR SDRAM)  
Unbuffered 184pin DIMM  
72-bit ECC/Parity  
Revision 0.5  
April. 2000  
Rev. 0.5 April. 2000  

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