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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36L0T7050T0ZAQF
M36L0T7050T0ZAQF PDF预览

M36L0T7050T0ZAQF

更新时间： 2024-01-06 13:53:08
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 363K
描述
128Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32Mbit (2M x16) PSRAM, Multi-Chip Package

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M36L0T7050T0ZAQF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
针数：88Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.12
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B88
JESD-609代码：e0长度：10 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+PSRAM
功能数量：1端子数量：88
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8,3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000005 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M36L0T7050T0ZAQF 数据手册

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M36L0T7050T0  
M36L0T7050B0  
128Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory  
32Mbit (2M x16) PSRAM, Multi-Chip Package  
FEATURES SUMMARY  
■
MULTI-CHIP PACKAGE  
Figure 1. Package  
–
1 die of 128Mbit (8Mx16, Multiple Bank,  
Multi-level, Burst) Flash Memory  
–
1 die of 32Mbit (2Mx16) Pseudo SRAM  
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
–
VDDF = 1.7 to 2V  
VDDP = VDDQ = 2.7 to 3.3V  
FBGA  
VPP = 9V for fast program (12V tolerant)  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code (Top Flash Configuration)  
M36L0T7050T0: 88C4h  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 x 10mm  
–
Device Code (Bottom Flash  
Configuration) M36L0T7050B0: 88C5h  
PACKAGE  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
■
BLOCK LOCKING  
–
–
All blocks locked at power-up  
Any combination of blocks can be locked  
with zero latency  
WP for Block Lock-Down  
Absolute Write Protection with VPP = VSS  
–
Lead-Free Versions  
FLASH MEMORY  
■
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
–
–
–
–
–
Synchronous Burst Read mode: 50MHz  
Asynchronous Page Read mode  
Random Access: 90ns  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■
■
SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
PROGRAMMING TIME  
–
PSRAM  
10µs typical Word program time using  
Write to Buffer and Program  
■
■
■
■
■
■
■
ACCESS TIME: 70ns  
LOW STANDBY CURRENT: 100µA  
DEEP POWER-DOWN CURRENT: 10µA  
BYTE CONTROL: UBP/LBP  
PROGRAMMABLE PARTIAL ARRAY  
8 WORD PAGE ACCESS CAPABILITY: 18ns  
POWER-DOWN MODES  
■
■
■
MEMORY ORGANIZATION  
–
Multiple Bank Memory Array: 8 Mbit  
Banks  
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
–
DUAL OPERATIONS  
–
program/erase in one Bank while read in  
others  
No delay between read and write  
operations  
– Deep Power-Down  
– 4 Mbit Partial Array Refresh  
– 8 Mbit Partial Array Refresh  
– 16 Mbit Partial Array Refresh  
–
SECURITY  
–
–
64 bit unique device number  
2112 bit user programmable OTP Cells  
December 2004  
1/18  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36L0T7050T0ZAQT STMICROELECTRONICS

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 		128Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32Mbit (2M x16) PSRAM, Multi-Chip
M36L0T7050T2 NUMONYX

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Mul
M36L0T7050T2ZAQ NUMONYX

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Mul
M36L0T7050T2ZAQE NUMONYX

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Mul
M36L0T7050T2ZAQF NUMONYX

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Mul
M36L0T7050T2ZAQT NUMONYX

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Mul
M36L0T7060B2ZAQ STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36L0T7060B2ZAQE STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36L0T7060B2ZAQF STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88
M36L0T7060B2ZAQT STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88

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