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M36L0T7060T2ZAQF

更新时间： 2024-02-09 18:13:10
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 203K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

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M36L0T7060T2ZAQF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：88
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.09其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B88长度：10 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：88字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36L0T7060T2ZAQF 数据手册

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M36L0T7060T2  
M36L0T7060B2  
128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory  
and 64 Mbit (4 Mb x16) PSRAM, multichip package  
Preliminary Data  
Features  
■ Multichip package  
– 1 die of 128 Mbit (8 Mb x16, Multiple Bank,  
Multilevel, Burst) Flash Memory  
FBGA  
– 1 die of 32 Mbit (2 Mb x16) Pseudo SRAM  
■ Supply voltage  
– V  
– V  
– V  
= 1.7 to 2.0 V  
DDF  
CCP  
PPF  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 × 10 mm  
= V  
= 2.7 to 3.5 V  
DDQ  
= 9 V for fast program  
■ Electronic signature  
■ Block locking  
– Manufacturer Code: 20h  
– All blocks locked at power-up  
– Device Code (Top Flash Configuration)  
M36L0T7060T2: 88C4h  
– Device Code (Bottom Flash Configuration)  
M36L0T7060B2: 88C5h  
– Any combination of blocks can be locked  
with zero latency  
– WP for Block Lock-Down  
– Absolute Write Protection with V = V  
■ ECOPACK® packages available  
PP  
SS  
■ Security  
– 64 bit unique device number  
Flash memory  
■ Synchronous / Asynchronous Read  
– Synchronous Burst Read mode: 52 MHz  
– Random Access: 85 ns  
– 2112 bit user programmable OTP Cells  
■ Common Flash Interface (CFI)  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Synchronous Burst Read Suspend  
■ Programming time  
PSRAM  
– 2.5 µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
■ Access time: 65 ns  
■ Low standby current: 90 µA (T ≤ 40°C)  
A
■ Deep Power-Down current: 10 µA  
■ Memory organization  
■ Byte control: UB /LB  
P
P
– Multiple Bank Memory Array: 8 Mbit Banks  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ Compatible with standard LPSRAM  
■ Power-Down modes  
■ Dual operations  
– Deep Power-Down  
– program/erase in one Bank while read in  
others  
– No delay between read and write  
operations  
April 2007  
Rev 1  
1/22  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
1
1234567...22

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与M36L0T7060T2ZAQF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36L0T7060T2ZAQT STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36L0T8060B1ZAQE STMICROELECTRONICS

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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,HYBRID,BGA,88PIN,PLASTIC
M36L0T8060B1ZAQF STMICROELECTRONICS

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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,HYBRID,BGA,88PIN,PLASTIC
M36L0T8060T1ZAQE STMICROELECTRONICS

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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,HYBRID,BGA,88PIN,PLASTIC
M36L0T8060T1ZAQF STMICROELECTRONICS

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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,HYBRID,BGA,88PIN,PLASTIC
M36LLR8760 STMICROELECTRONICS

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32 Mbit (2M x16) PSRAM, 1.8V Sup
M36LLR8760B1 STMICROELECTRONICS

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 		256 + 128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8
M36LLR8760B1ZAQ STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M36LLR8760B1ZAQE NUMONYX

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-88
M36LLR8760B1ZAQF NUMONYX

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 		Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-88

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