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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36L0T7050T2ZAQF
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M36L0T7050T2ZAQF

更新时间： 2024-01-19 14:15:09
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 443K
描述
128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package

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M36L0T7050T2ZAQF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32针数：88
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.08最长访问时间：85 ns
其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B88
长度：10 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+PSRAM功能数量：1
端子数量：88字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8,3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36L0T7050T2ZAQF 数据手册

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M36L0T7050T2  
M36L0T7050B2  
128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory  
and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package  
Preliminary Data  
Feature summary  
■ Multi-Chip Package  
– 1 die of 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank,  
Multi-level, Burst) Flash Memory  
FBGA  
– 1 die of 32 Mbit (2Mb x16) Pseudo SRAM  
■ Supply voltage  
– V  
– V  
– V  
= 1.7 to 1.95V  
DDF  
CCP  
PPF  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 x 10mm  
= V  
= 2.7 to 3.1V  
DDQ  
= 9V for fast program  
■ Electronic signature  
■ Block locking  
– Manufacturer Code: 20h  
– All blocks locked at power-up  
– Device Code (Top Flash Configuration)  
M36L0T7050T2: 88C4h  
– Device Code (Bottom Flash Configuration)  
M36L0T7050B2: 88C5h  
– Any combination of blocks can be locked  
with zero latency  
– WP for Block Lock-Down  
– Absolute Write Protection with V = V  
■ ECOPACK® packages available  
PP  
SS  
■ Security  
– 64 bit unique device number  
Flash memory  
■ Synchronous / Asynchronous Read  
– Synchronous Burst Read mode: 52MHz  
– Random Access: 85ns  
– 2112 bit user programmable OTP Cells  
■ Common Flash Interface (CFI)  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Synchronous Burst Read Suspend  
■ Programming time  
PSRAM  
– 2.5µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
■ Access time: 65ns  
■ 8-Word Page Access capability: 18ns  
■ Low standby current: 100µA  
■ Deep power down current: 10µA  
■ Compatible with standard LPSRAM  
■ Memory organization  
– Multiple Bank Memory Array: 8 Mbit Banks  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ Power-down modes  
■ Dual operations  
– Deep Power-Down  
– 4 Mbit Partial Array Refresh  
– 8 Mbit Partial Array Refresh  
– program/erase in one Bank while read in  
others  
– No delay between read and write  
operations  
November 2007  
Rev 0.2  
1/22  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.numonyx.com  
1
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36L0T7050T2ZAQT NUMONYX

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 		128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Mul
M36L0T7060B2ZAQ STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
M36L0T7060B2ZAQE STMICROELECTRONICS

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M36L0T7060T2ZAQE STMICROELECTRONICS

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M36L0T7060T2ZAQF STMICROELECTRONICS

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M36L0T8060B1ZAQE STMICROELECTRONICS

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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+PSRAM,HYBRID,BGA,88PIN,PLASTIC

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