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M30L0R8000T2ZAQE

更新时间： 2024-10-28 20:36:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
109页 852K
描述
16MX16 FLASH 1.8V PROM, 85ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88

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M30L0R8000T2ZAQE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88
针数：88Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.38最长访问时间：85 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B88
长度：10 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：4,255
端子数量：88字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：8 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.077 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M30L0R8000T2ZAQE 数据手册

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M30L0R8000T2  
M30L0R8000B2  
256 Mbit (×16, multiple bank, multilevel, burst)  
1.8 V supply Flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 1.7 V to 2.0 V for program, erase  
DD  
and read  
FBGA  
– V  
= 1.7 V to 2.0 V for I/O buffers  
DDQ  
– V = 9 V for fast program  
PP  
■ Synchronous/asynchronous read  
– Synchronous burst read mode: 54 MHz  
– Asynchronous page read  
TFBGA88 (ZAQ) 8 × 10 mm  
– Random access: 85 ns  
■ Synchronous burst read suspend  
■ Programming time  
– 5 µs typical word program time using Buffer  
Enhanced Factory Program command  
■ 100 000 program/erase cycles per block  
■ Electronic signature  
■ Memory organization  
– Manufacturer code: 20h  
– Multiple bank memory array:  
16 Mbit banks  
– Top device code:  
M30L0R8000T2: 880Dh  
Bottom device code  
– Parameter blocks (top or bottom location)  
M30L0R8000B2: 880Eh  
■ Dual operations  
– Program/erase in one bank while read in  
others  
■ TFBGA88 package  
– ECOPACK®  
– No delay between read and write  
operations  
■ Block locking  
– All blocks locked at power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
with zero latency  
– WP for block lock-down  
– Absolute write protection with V = V  
PP  
SS  
■ Security  
– 64 bit unique device number  
– 2112 bit user programmable OTP Cells  
■ CFI (common Flash interface)  
October 2007  
Rev. 1  
1/109  
www.st.com  
1
1234567...109

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与M30L0R8000T2ZAQE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M30L0R8000T2ZAQF STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,16MX16,CMOS,BGA,88PIN,PLASTIC
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M30LW128D110N6 STMICROELECTRONICS

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