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M30L45C-E3/4W PDF预览

M30L45C-E3/4W

更新时间： 2024-10-28 21:06:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
DIODE 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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M30L45C-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：280 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

M30L45C-E3/4W 数据手册

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New Product  
M30L45C  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
TO-220AB  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
3
2
• Solder dip 260 °C, 40 s  
1
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
15 A x 2  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
45 V  
20 mJ  
280 A  
0.46 V  
150 °C  
Case: TO-220AB  
EAS  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
IFSM  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
M30L45C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
45  
V
total device  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
per diode  
30  
15  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
280  
Peak repetitive reverse current per diode at tp = 2 µs, 1 kHz  
IRRM  
EAS  
1.0  
20  
A
Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, IAS = 2 A  
Operating junction and storage temperature range  
per diode  
mJ  
°C  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
Document Number: 89045  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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