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M30LW128D110ZE1T

更新时间： 2024-10-27 22:07:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	809K
描述
128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product

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M30LW128D110ZE1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-88
针数：	88	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	110 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH MODULE
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	88	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	4 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.00008 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M30LW128D110ZE1T 数据手册

M30LW128D

128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories)

3V Supply, Multiple Memory Product

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ TWO M58LW064D 64Mbit FLASH MEMORIES

Figure 1. Packages

STACKED IN A SINGLE PACKAGE

■ WIDE x8 or x16 DATA BUS for HIGH

BANDWIDTH

■ SUPPLY VOLTAGE

– V

= 2.7 to 3.6V for Program, Erase and

Read operations

– V

= 1.8 to V for I/O buffers

DDQ

TSOP56 (N)

14 x 20 mm

■ ACCESS TIME

– Random Read 110ns

– Page Mode Read 110/25ns

■ PROGRAMMING TIME

TBGA

– 16 Word Write Buffer

– 16µs Word effective programming time

■ 128 UNIFORM 64 KWord/128KByte MEMORY

TBGA64 (ZA)

10 x 13mm

BLOCKS

■ BLOCK PROTECTION/ UNPROTECTION

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 128 bit PROTECTION REGISTER

■ COMMON FLASH INTERFACE

FBGA

■ 100, 000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

LFBGA88 (ZE)

8 x 10mm

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code M30LW128D: 8817h

February 2003

1/57

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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M30LW128D110ZE6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	Flash Module, 8MX16, 110ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, LFBGA-88
M30LW128D110ZE6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Pr
M30R1041	ETC	获取价格	Multilayer Ceramic Capacitors
M30R1042	ETC	获取价格	Multilayer Ceramic Capacitors
M30R104K1-FTR	CDE	获取价格	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Thro
M30R104K2-FTA	CDE	获取价格	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Thro
M30R104M1-FTA	CDE	获取价格	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Thro
M30R104M2	CDE	获取价格	Cap,Ceramic,100nF,200VDC,20% -Tol,20% +Tol,X7R TC Code
M30R104M2-FTA	CDE	获取价格	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Thro

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