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M29W160BB70ZA6

更新时间: 2024-09-21 10:22:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1324K
描述
2MX8 FLASH 2.7V PROM, 70ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, LFBGA-48

M29W160BB70ZA6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:0.80 MM PITCH, LFBGA-48
针数:48Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.37最长访问时间:70 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度:16
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0长度:9 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:48
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.35 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M29W160BB70ZA6 数据手册

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