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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W160BT70M1T
M29W160BT70M1T PDF预览

M29W160BT70M1T

更新时间： 2024-11-07 22:56:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 171K
描述
16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W160BT70M1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：28.2 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,31
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP44,.63
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.62 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

M29W160BT70M1T 数据手册

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M29W160BT  
M29W160BB  
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 70ns  
44  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
1
■ 35 MEMORY BLOCKS  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SO44 (M)  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 32 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
FBGA  
LFBGA48 (ZA)  
8 x 6 solder balls  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
V
CC  
MODE  
■ SECURITY MEMORY BLOCK  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
20  
15  
A0-A19  
DQ0-DQ14  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
BLOCK  
M29W160BT  
M29W160BB  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
G
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
RP  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29W160BT: 22C4h  
– Bottom Device Code M29W160BB: 2249h  
V
SS  
AI00981  
Note: RB not available on SO44 package.  
February 2000  
1/25  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...25

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与M29W160BT70M1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W160BT70M6T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BT70N1 STMICROELECTRONICS

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 		2MX8 FLASH 2.7V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W160BT70N1T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BT70N6 STMICROELECTRONICS

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 		2MX8 FLASH 2.7V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W160BT70N6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BT70ZA1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2MX8 FLASH 2.7V PROM, 70ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, LFBGA-48
M29W160BT70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BT70ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		2MX8 FLASH 2.7V PROM, 70ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, LFBGA-48
M29W160BT70ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BT90M1 STMICROELECTRONICS

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