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M29F160BB55N6

更新时间: 2024-09-22 04:16:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1324K
描述
1MX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

M29F160BB55N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.26最长访问时间:55 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.00015 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29F160BB55N6 数据手册

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