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M28W440-150M1

更新时间： 2024-09-18 15:39:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	586K
描述
512KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

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M28W440-150M1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SO-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
最长访问时间：	150 ns	备用内存宽度：	16
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.2 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.62 mm	部门规模：	16K,8K,96K,128K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm	Base Number Matches：	1

M28W440-150M1 数据手册

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