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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | 10 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40 |
| 针数： | 40 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 16 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装等效代码： | TSSOP40,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 反向引出线： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M28V841-120N1RTR | STMICROELECTRONICS | 1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40 |
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| M28V841-120N1TR | STMICROELECTRONICS | 1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40 |
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| M28V841-120N3 | STMICROELECTRONICS | 1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40 |
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| M28V841-120N3R | STMICROELECTRONICS | 1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40 |
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| M28V841-120N3RTR | STMICROELECTRONICS | 1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40 |
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| M28V841-120N3TR | STMICROELECTRONICS | 1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40 |
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