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M28V841-120N1R

更新时间: 2024-11-11 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 898K
描述
1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40

M28V841-120N1R 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:10 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40
针数:40Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.87Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:16端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:10 mm
Base Number Matches:1

M28V841-120N1R 数据手册

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