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M28V841-120N6

更新时间: 2024-11-11 18:55:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 902K
描述
1MX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

M28V841-120N6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数:40Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.87最长访问时间:120 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:16
端子数量:40字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:10 mm
Base Number Matches:1

M28V841-120N6 数据手册

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