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M28LV64-200XN6

更新时间： 2024-09-16 22:30:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
18页 128K
描述
64K 8K x 8 LOW VOLTAGE PARALLEL EEPROM with SOFTWARE DATA PROTECTION

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M28LV64-200XN6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：LSSOP, TSSOP28,.53,22
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92最长访问时间：200 ns
其他特性：ENDURANCE >100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION >40 YEARS; SOFTWARE DATA PROTECTION命令用户界面：NO
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：40
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSSOP28,.53,22
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.25 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.01 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
宽度：8 mm

M28LV64-200XN6 数据手册

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M28LV64  
64K (8K x 8) LOW VOLTAGE PARALLEL EEPROM  
with SOFTWARE DATA PROTECTION  
NOT FOR NEW DESIGN  
FAST ACCESS TIME: 200ns  
SINGLE LOW VOLTAGE OPERATION  
LOW POWER CONSUMPTION  
FAST WRITE CYCLE:  
– 64 Bytes Page Write Operation  
– Byte or Page Write Cycle: 3ms Max  
ENHANCED END OF WRITE DETECTION:  
28  
1
– Ready/BusyOpen Drain Output  
(only on the M28LV64)  
PDIP28 (P)  
PLCC32 (K)  
– Data Polling  
– Toggle Bit  
PAGE LOAD TIMER STATUS BIT  
28  
HIGH RELIABILITYSINGLE POLYSILICON,  
CMOS TECHNOLOGY:  
1
– Endurance>100,000 Erase/Write Cycles  
– Data Retention >40 Years  
SO28 (MS)  
300 mils  
TSOP28 (N)  
8 x13.4mm  
JEDEC APPROVED BYTEWIDE PIN OUT  
SOFTWARE DATA PROTECTION  
The M28LV64 is replaced by the  
M28C64-xxW  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M28LV64 is an 8K x 8 low power Parallel  
EEPROM fabricated with SGS-THOMSON pro-  
prietary single polysilicon CMOS technology. The  
device offers fast access time with low power dis-  
sipation and requires a 2.7V to 3.6V power supply.  
V
CC  
13  
8
A0-A12  
DQ0-DQ7  
Table 1. Signal Names  
W
E
M28LV64  
A0 - A12  
Address Input  
DQ0 - DQ7 Data Input / Output  
RB *  
G
W
Write Enable  
Chip Enable  
Output Enable  
Ready / Busy  
Supply Voltage  
Ground  
E
G
V
SS  
RB  
VCC  
VSS  
AI01538B  
Note: * RB function is only available on the M28LV64.  
May 1997  
1/18  
This is information on a product still in production but not recommended for new designs.  
1234567...18

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