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M28F512-12XC6

更新时间: 2024-09-19 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 443K
描述
64KX8 FLASH 12V PROM, 12ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

M28F512-12XC6 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:PLASTIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:12 ns其他特性:BULK ERASE
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0长度:13.995 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:11.455 mm
Base Number Matches:1

M28F512-12XC6 数据手册

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