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M27W512-80N6E

更新时间: 2024-01-16 15:39:21
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管ISM频段可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
21页 372K
描述
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

M27W512-80N6E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.82最长访问时间:80 ns
其他特性:ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6VI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e3/e6
长度:11.8 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm最大待机电流:0.000015 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN/TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M27W512-80N6E 数据手册

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M27W512  
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
FEATURES SUMMARY  
2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
Figure 1. Packages  
OPERATION  
ACCESS TIME:  
70ns at VCC = 3.0 to 3.6V  
80ns at VCC = 2.7 to 3.6V  
PIN COMPATIBLE with M27C512  
LOW POWER CONSUMPTION:  
28  
15µA max Standby Current  
15mA max Active Current at 5MHz  
1
FDIP28W (F)  
PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
2000V ESD Protection  
200mA Latchup Protection Immunity  
ELECTRONIC SIGNATURE  
Manufacturer Code: 20h  
Device Code: 3Dh  
28  
PACKAGES  
Lead-Free Versions  
1
PDIP28 (B)  
PLCC32 (K)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
November 2004  
1/21  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W512-80N6F STMICROELECTRONICS

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512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W512-80N6TR STMICROELECTRONICS

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512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800 STMICROELECTRONICS

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8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-100B6TR STMICROELECTRONICS

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8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-100F6 STMICROELECTRONICS

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512KX16 UVPROM, 100ns, CDIP42, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-42
M27W800-100F6TR STMICROELECTRONICS

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8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-100K6TR STMICROELECTRONICS

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8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-120B6 STMICROELECTRONICS

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512KX16 OTPROM, 120ns, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
M27W800-120B6TR STMICROELECTRONICS

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8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-120F6 STMICROELECTRONICS

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512KX16 UVPROM, 120ns, CDIP42, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-42