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M27W800-100K6TR

更新时间： 2024-02-28 09:50:49

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器
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8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W800-100K6TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	S-PQCC-J44	长度：	16.5862 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	16.5862 mm

M27W800-100K6TR 数据手册

M27W800

8 Mbit (1Mb x 8 or 512Kb x 16)

Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

■ 2.7V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ

OPERATION

■ ACCESS TIME:

– 90ns at V = 3.0V to 3.6V

– 100ns at V = 2.7V to 3.6V

■ BYTE-WIDE or WORD-WIDE

CONFIGURABLE

FDIP42W (F)

PDIP42 (B)

■ 8 Mbit MASK ROM REPLACEMENT

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Active Current 30mA at 8MHz

– Standby Current 15µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 50µs/word

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

PLCC44 (K)

– Device Code: B2h

Figure 1. Logic Diagram

DESCRIPTION

The M27W800 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-

fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and

OTP (one time programmable). It is ideally suited

for microprocessor systems requiring large data or

program storage. It is organised as either 1 Mbit

words of 8 bit or 512 Kbit words of 16 bit. The pin-

out is compatible with a 8 Mbit Mask ROM.

The M27W800 operates in the read mode with a

supply voltage as low as 2.7V. The decrease in

operating power allows either a reduction of the

size of the battery or an increase in the time be-

tween battery recharges.

Q15A–1

Q0-Q14

A0-A18

M27W800

The FDIP42W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allows the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written rapidly to

the device by following the programming proce-

dure.

BYTEV

For applications where the content is programmed

only one time and erasure is not required, the

M27W800 is offered in PDIP42 and PLCC44 pack-

age.

AI03601

March 2000

1/15

12 3 4 5 6 7...15

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M27W800-120F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 UVPROM, 120ns, CDIP42, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-42
M27W800-120F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-120K6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 OTPROM, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
M27W800-120K6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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M27W800-150B6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-150F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-150K6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 OTPROM, 150ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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