是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | ACCESS TIME 80 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
最大待机电流: | 0.000015 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M27W801-100N6 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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M27W801-100N6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120B6 | STMICROELECTRONICS |
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1MX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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M27W801-120B6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120C6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120F6 | STMICROELECTRONICS |
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1MX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32 |
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M27W801-120F6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120K6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120N6 | STMICROELECTRONICS |
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1MX8 OTPROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32 |
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M27W801-120N6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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