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M27W801-100K6TR

更新时间： 2024-01-09 18:56:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 110K
描述
8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W801-100K6TR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns其他特性：ACCESS TIME 80 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M27W801-100K6TR 数据手册

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M27W801  
8 Mbit (1Mb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME:  
– 80ns at V = 3.0V to 3.6V  
32  
CC  
32  
– 100ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
■ PIN COMPATIBLE with M27C801  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– 15µA max Standby Current  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
■ PROGRAMMING TIME 50µs/byte  
■ HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
– 2,000V ESD Protection  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
PLCC32 (K)  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
– Device Code: 42h  
DESCRIPTION  
V
CC  
The M27W801 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-  
fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage and is organized as 1,048,576 by  
8 bits.  
20  
8
A0-A19  
Q0-Q7  
The M27W801 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-  
perature range. The decrease in operating power  
allows either a reduction of the size of the battery  
or an increase in the time between battery re-  
charges.  
E
M27W801  
GV  
PP  
The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lids which allow the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
V
SS  
AI02363  
For applications where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W801 is offered in PDIP32, PLCC32 and  
TSOP32 (8 x 20 mm) packages.  
April 2000  
1/16  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W801-100N6 STMICROELECTRONICS

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M27W801-100N6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W801-120B6 STMICROELECTRONICS

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 		1MX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M27W801-120B6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W801-120C6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W801-120F6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1MX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32
M27W801-120F6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W801-120K6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W801-120N6 STMICROELECTRONICS

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 		1MX8 OTPROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
M27W801-120N6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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