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M27W801-120B6

更新时间: 2024-01-28 18:56:02
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 203K
描述
1MX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

M27W801-120B6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.83最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:42.035 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.83 mm
最大待机电流:0.000015 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.015 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M27W801-120B6 数据手册

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M27W801  
8 Mbit (1Mb x8) low voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Feature summary  
2.7V to 3.6V supply voltage in READ operation  
Access time:  
32  
– 80ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 100ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
Pin compatible with M27C801  
FDIP32W (F)  
Low power consumption:  
– 30µA max Standby Current  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
Programming time 50µs/Byte  
High reliability CMOS technology  
– 2,000V ESD Protection  
32  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 42h  
1
PDIP32 (B)  
ECOPACK® packages available  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
May 2006  
Rev 2  
1/24  
www.st.com  
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