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M27W801-120F6

更新时间： 2024-02-15 11:35:25
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 264K
描述
1MX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32

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M27W801-120F6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.83最长访问时间：120 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-CDIP-T32
JESD-609代码：e3长度：41.885 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.72 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：EPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

M27W801-120F6 数据手册

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M27W801  
8 Mbit (1Mb x8) low voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Feature summary  
■ 2.7V to 3.6V supply voltage in READ operation  
■ Access time:  
32  
– 80ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 100ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
■ Pin compatible with M27C801  
FDIP32W (F)  
■ Low power consumption:  
– 30µA max Standby Current  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
■ Programming time 50µs/Byte  
■ High reliability CMOS technology  
– 2,000V ESD Protection  
32  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 42h  
1
PDIP32 (B)  
■ ECOPACK® packages available  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
May 2006  
Rev 2  
1/24  
www.st.com  
1
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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