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M27W801-100N6TR

更新时间： 2024-02-08 02:18:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 110K
描述
8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W801-100N6TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.9最长访问时间：100 ns
其他特性：ACCESS TIME 80 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6VI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000015 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M27W801-100N6TR 数据手册

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M27W801  
8 Mbit (1Mb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME:  
– 80ns at V = 3.0V to 3.6V  
32  
CC  
32  
– 100ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
■ PIN COMPATIBLE with M27C801  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– 15µA max Standby Current  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
■ PROGRAMMING TIME 50µs/byte  
■ HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
– 2,000V ESD Protection  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
PLCC32 (K)  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
– Device Code: 42h  
DESCRIPTION  
V
CC  
The M27W801 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-  
fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage and is organized as 1,048,576 by  
8 bits.  
20  
8
A0-A19  
Q0-Q7  
The M27W801 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-  
perature range. The decrease in operating power  
allows either a reduction of the size of the battery  
or an increase in the time between battery re-  
charges.  
E
M27W801  
GV  
PP  
The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lids which allow the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
V
SS  
AI02363  
For applications where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W801 is offered in PDIP32, PLCC32 and  
TSOP32 (8 x 20 mm) packages.  
April 2000  
1/16  
1234567...16

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与M27W801-100N6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W801-120B6 STMICROELECTRONICS

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 		1MX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M27W801-120B6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W801-120C6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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 		1MX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32
M27W801-120F6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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 		1MX8 OTPROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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 		1MX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
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