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M27W801-100F6

更新时间: 2024-02-21 01:18:04
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 203K
描述
1MX8 UVPROM, 100ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32

M27W801-100F6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.61
风险等级:5.83最长访问时间:100 ns
其他特性:ACCESS TIME 80 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6VI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDIP-T32JESD-609代码:e3
长度:41.885 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:UVPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:WDIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE, WINDOW
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.72 mm最大待机电流:0.000015 A
子类别:EPROMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M27W801-100F6 数据手册

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M27W801  
8 Mbit (1Mb x8) low voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Feature summary  
2.7V to 3.6V supply voltage in READ operation  
Access time:  
32  
– 80ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 100ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
Pin compatible with M27C801  
FDIP32W (F)  
Low power consumption:  
– 30µA max Standby Current  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
Programming time 50µs/Byte  
High reliability CMOS technology  
– 2,000V ESD Protection  
32  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 42h  
1
PDIP32 (B)  
ECOPACK® packages available  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
May 2006  
Rev 2  
1/24  
www.st.com  
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