是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | ACCESS TIME 80 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 41.885 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大待机电流: | 0.000015 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M27W801-100F6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-100K6 | STMICROELECTRONICS |
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1MX8 OTPROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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M27W801-100K6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-100N6 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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M27W801-100N6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120B6 | STMICROELECTRONICS |
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1MX8 OTPROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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M27W801-120B6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120C6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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M27W801-120F6 | STMICROELECTRONICS |
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1MX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32 |
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M27W801-120F6TR | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
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