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Datasheet > 存储 > EPROM> M27W800-100F6
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M27W800-100F6

更新时间： 2024-01-02 11:48:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 142K
描述
512KX16 UVPROM, 100ns, CDIP42, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-42

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M27W800-100F6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：WDIP,针数：42
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-GDIP-T42
长度：54.635 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：42
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.97 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

M27W800-100F6 数据手册

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M27W800  
8 Mbit (1Mb x 8 or 512Kb x 16)  
Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME:  
– 90ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
42  
42  
– 100ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
■ BYTE-WIDE or WORD-WIDE  
1
1
CONFIGURABLE  
FDIP42W (F)  
PDIP42 (B)  
■ 8 Mbit MASK ROM REPLACEMENT  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Active Current 30mA at 8MHz  
– Standby Current 15µA  
■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V  
■ PROGRAMMING TIME: 50µs/word  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
PLCC44 (K)  
– Device Code: B2h  
Figure 1. Logic Diagram  
DESCRIPTION  
The M27W800 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-  
fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage. It is organised as either 1 Mbit  
words of 8 bit or 512 Kbit words of 16 bit. The pin-  
out is compatible with a 8 Mbit Mask ROM.  
The M27W800 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V. The decrease in  
operating power allows either a reduction of the  
size of the battery or an increase in the time be-  
tween battery recharges.  
V
CC  
19  
Q15A–1  
Q0-Q14  
A0-A18  
15  
E
M27W800  
G
The FDIP42W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written rapidly to  
the device by following the programming proce-  
dure.  
BYTEV  
PP  
For applications where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W800 is offered in PDIP42 and PLCC44 pack-  
age.  
V
SS  
AI03601  
March 2000  
1/15  
1234567...15

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与M27W800-100F6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W800-100F6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-100K6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-120B6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 OTPROM, 120ns, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
M27W800-120B6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-120F6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 UVPROM, 120ns, CDIP42, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-42
M27W800-120F6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-120K6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 OTPROM, 120ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
M27W800-120K6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W800-150B6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		512KX16 OTPROM, 150ns, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
M27W800-150B6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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