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M27W101-150F6

更新时间: 2024-10-29 19:01:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 210K
描述
128KX8 UVPROM, 100ns, CDIP32, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32

M27W101-150F6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.61
风险等级:5.83最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T32JESD-609代码:e3
长度:41.885 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:UVPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:WDIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE, WINDOW
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):245
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.72 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M27W101-150F6 数据手册

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M27W101  
1 Mbit (128Kb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
2.7V to 3.6V Low Voltage in Read Operation  
Access Time:  
32  
– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V  
PLCC32 (K)  
CC  
Pin compatible with M27C1001  
1
FDIP32W (F)  
Low Power Consumption:  
– Active Current: 15 mA at 5 MHz  
– Standby Current: 15 µA  
Programming Time: 100 µs/byte  
High Reliability CMOS Technology  
– 2,000V ESD Protection  
32  
– 200 mA Latch-up Protection Immunity  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 05h  
1
PDIP32 (B)  
ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 3  
1/23  
www.st.com  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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暂无描述
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