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M27C801-90K1

更新时间: 2024-10-26 04:43:27
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 208K
描述
8 Mbit (1Mb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

M27C801-90K1 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:PLASTIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.6Is Samacsys:N
最长访问时间:90 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQCC-J32JESD-609代码:e3
长度:13.97 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin (Sn)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

M27C801-90K1 数据手册

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M27C801  
8 Mbit (1Mb x 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
5 V 10% supply voltage in Read operation  
Access time: 55 ns  
32  
low Power Consumption:  
– Active current: 35 mA at 5 MHz  
– Standby current: 100 µA  
1
FDIP32W (F)  
Programming voltage: 12.75 V 0.25 V  
Programming time: 50 µs/word  
Electronic signature  
– Manufacturer code: 20h  
– Device code: 42h  
32  
ECOPACK® packages available  
1
PDIP32 (B)  
PLCC32 (K)  
September 2007  
Rev 6  
1/24  
www.st.com  
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