5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-215AB | 包装说明： | R-PDSO-G2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.41 | 其他特性： | LOW FORWARD VOLTAGE |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.52 V | JEDEC-95代码： | DO-215AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | 最大非重复峰值正向电流： | 350 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 最大反向电流： | 2000 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LSM835J | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| LSM835J/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB |
|
| LSM835JE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), |
|
| LSM835J-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| LSM840 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
|
| LSM840G | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
|
| LSM840GE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), |
|
| LSM840J | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
|
| LSM840JE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
|
| LSM845 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
