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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-214AB | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.57 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.4 V |
| JEDEC-95代码： | DO-214AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 350 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 8 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LSM840JE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| LSM845G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| LSM845GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), |
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| LSM845J | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845J/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB |
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| LSM845JE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), |
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| LSM845JE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845J-TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| LSM9DS0 | STMICROELECTRONICS |
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iNEMO inertial module 3D accelerometer, 3D gyroscope, 3D magnetometer |
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