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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LSM845G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| LSM845GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), |
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| LSM845J | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845J/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB |
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| LSM845JE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), |
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| LSM845JE3/TR13 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845J-TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| LSM9DS0 | STMICROELECTRONICS |
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iNEMO inertial module 3D accelerometer, 3D gyroscope, 3D magnetometer |
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| LSM9DS0TR | STMICROELECTRONICS |
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iNEMO inertial module 3D accelerometer, 3D gyroscope, 3D magnetometer |
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| LSMA050UMA | EUROQUARTZ |
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Low Power - Low Frequency SMD Oscillator |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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