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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.4 V |
| 最大非重复峰值正向电流： | 350 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 35 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LSM835J-TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| LSM840 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| LSM840G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| LSM840GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), |
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| LSM840J | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM840JE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| LSM845G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| LSM845GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), |
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| LSM845J | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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