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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LSM835JE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), |
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| LSM835J-TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| LSM840 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| LSM840G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| LSM840GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), |
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| LSM840J | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM840JE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB |
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| LSM845 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| LSM845G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| LSM845GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), |
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