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LSIC2SD120C10A

更新时间： 2024-11-24 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		肖特基二极管
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7页	583K
描述
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LSIC2SD120C10A 数据手册

LSIC2SD120C10A

Silicon Carbide Schottky Diode Datasheet

LSIC2SD120C10A

1200 V, 10 A SiC Schottky Barrier Diode

Product Summary

Characteristic

Value

1200

Unit

V_RRM

I_F(T_C≤ 135 °C)

Q_C(V_R: 0-800 V)

Features

• AEC-Q101 Qualified

• MSL 1 Rated

• Positive temperature coefficient for safe

operation and ease of paralleling

• 175 °C maximum operating junction temperature

• Excellent surge capability

Agency Approvals and Environmental

Environmental Approvals

• Extremely fast, temperature-independent

switching behavior

• Dramatically reduced switching losses compared

to Si bipolar diodes

• RoHS compliant, lead-free, and halogen-free

Pinout Diagram

Applications

• Boost diodes in PFC or DC/DC stages

• Switch-mode power supplies

• Solar inverters

• Uninterruptable power supplies

• Industrial motor drives

• Battery Chargers

• High speed rectifier

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics

Revised: 3/1/2021

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